La mémoire flash PoX : une révolution technologique majeure venue de Chine

Une équipe de chercheurs chinois vient de damer le pion aux géants occidentaux de la tech. Des scientifiques de l’Université Fudan ont réussi à construire le dispositif de stockage semi-conducteur le plus rapide jamais conçu, une mémoire flash non-volatile qu’ils ont baptisée « PoX ».

Cette prouesse technologique permet de programmer un bit en seulement 400 picosecondes – soit 0,0000000004 seconde. Pour vous donner une idée, ça représente environ 25 milliards d’opérations par seconde !

Les résultats publiés dans la revue Nature propulsent la mémoire non-volatile dans une dimension de vitesse jusque-là réservée aux mémoires volatiles les plus performantes. Pendant que nos politiciens s’embourbent dans des débats stériles et des promesses jamais tenues, les chercheurs, eux, font avancer le monde.

Cette avancée fixe désormais une référence pour les systèmes d’intelligence artificielle gourmands en données. Mais combien de temps faudra-t-il avant que l’Occident ne tente de freiner ce développement chinois sous prétexte de « sécurité nationale » ? Je me pose la question.

Alors que nous peinons à joindre les deux bouts face à l’inflation, ces technologies pourraient véritablement changer notre quotidien. Reste à savoir si on nous laissera y accéder un jour, ou si elles resteront dans les mains des puissants qui contrôlent déjà nos vies numériques.

Limites des mémoires classiques face à la mémoire flash PoX

Les mémoires RAM statiques et dynamiques classiques (SRAM, DRAM) écrivent les données en 1 à 10 nanosecondes, mais perdent tout dès qu’on coupe le courant. Les puces Flash, elles, conservent les données sans alimentation, mais prennent généralement des micro à millisecondes pour chaque écriture — beaucoup trop lent pour les accélérateurs d’IA modernes qui doivent manipuler des téraoctets de paramètres en temps réel.

C’est d’ailleurs un sacré paradoxe : nos gouvernements nous surveillent avec des technologies d’IA toujours plus sophistiquées, mais butent encore sur des limitations matérielles fondamentales. Les ingénieurs cherchent désespérément la solution miracle depuis des années.

L’innovation radicale du graphène

L’équipe de Fudan, dirigée par le Professeur Zhou Peng, a bouleversé les fondamentaux des mémoires flash. Ces chercheurs du Laboratoire d’État des Puces et Systèmes Intégrés ont eu l’audace de remplacer les canaux en silicium par du graphène bidimensionnel de Dirac.

Le graphène, avec son transport de charge balistique, offre des performances révolutionnaires.

Cette innovation pourrait bien créer de nouvelles dépendances envers l’Asie, alors que nos usines ferment et que nos talents fuient un système à bout de souffle.

Super-injection et liberté scientifique

En ajustant la « longueur gaussienne » du canal, l’équipe a réussi une super-injection bidimensionnelle. Nos scientifiques, quand on leur laisse la liberté de travailler sans l’intervention des bureaucrates, parviennent à des percées extraordinaires.

Pendant que nos politiciens nous parlent d’économies à faire et de sacrifices nécessaires, ces chercheurs prouvent qu’on peut dépasser les limites qu’on nous présente comme infranchissables.

Zhou a dévoilé à l’agence Xinhua qu’en exploitant l’optimisation des processus par IA, son équipe a poussé la mémoire non volatile jusqu’à sa limite théorique. C’est l’aveu que l’intelligence artificielle, tant décriée par nos élites quand il s’agit de nos emplois, sert bien leurs intérêts technologiques. Il a ajouté que cette prouesse ouvre la voie aux « futures mémoires flash ultra-rapides », a précisé le chercheur.

Un record mondial pulvérisé

Selon Liu Chunsen, co-auteur de l’étude, cette avancée révolutionnaire est comparable au passage d’une simple clé USB capable d’écrire 1 000 fois par seconde à une puce surpuissante qui effectue un milliard d’opérations en un clignement d’œil. Le précédent record mondial de vitesse pour la programmation flash non-volatile plafonnait à environ deux millions d’opérations par seconde.

Alors que nos ordinateurs personnels rament et que nos smartphones deviennent obsolètes tous les deux ans, les géants technologiques, eux, continuent d’innover à vitesse grand V dans leurs laboratoires bien financés.

Cette technologie pourrait transformer radicalement nos appareils quotidiens. Mais combien de temps faudra-t-il avant que le citoyen lambda puisse en profiter ? Et surtout, à quel prix ? Pendant que les élites s’extasient devant ces prouesses techniques, nos données personnelles circulent toujours plus vite, collectées par ces mêmes puces ultrarapides.

Je m’interroge : cette course effrénée à la performance technologique sert-elle vraiment l’intérêt général, ou uniquement celui des multinationales et des gouvernements qui nous surveillent ?

Vers la fin du goulot d’étranglement technologique

La technologie PoX, non-volatile par nature, conserve les données sans aucune alimentation de veille. En associant une consommation d’énergie ultra-faible à des vitesses d’écriture de l’ordre de la picoseconde, cette innovation pourrait enfin éliminer le goulot d’étranglement qui paralyse depuis trop longtemps le matériel d’inférence et d’entraînement des IA.

Car aujourd’hui, ce n’est pas le calcul qui dévore la majorité de l’énergie, mais bien le transfert incessant des données.

Révolution ou récupération par les oligopoles ?

La technologie PoX pourrait révolutionner nos appareils, mais à qui profite vraiment cette innovation ?

Cette nouvelle mémoire pourrait bien faire disparaître les caches SRAM dans les puces d’intelligence artificielle si elle était produite en masse. Pour nous, utilisateurs lambda, ça veut dire des économies d’énergie et d’espace considérables – mais ne nous faisons pas d’illusions, ces économies iront grossir les marges des fabricants plutôt que de faire baisser les prix que nous payons.

Imaginez des ordinateurs portables ou téléphones qui s’allument instantanément et consomment moins. Une technologie qui, si elle n’est pas verrouillée par les géants de la Silicon Valley, pourrait changer la donne. Mais combien de temps avant que cette avancée soit réservée aux produits haut de gamme, inaccessibles au commun des mortels ?

Un outil stratégique de domination chinoise

L’autre avantage annoncé concerne les moteurs de bases de données qui pourraient stocker l’ensemble de leurs données de travail directement en RAM persistante. Cette promesse technologique rappelle celles qu’on nous a déjà faites avant que les oligopoles ne s’en emparent pour en contrôler l’accès et les tarifs.

Bien sûr, je surveille ces développements technologiques avec intérêt, mais gardons l’œil ouvert : derrière chaque innovation se cache souvent un moyen de collecter davantage de nos données ou de nous rendre encore plus dépendants. Qui pourra vraiment bénéficier de cette révolution mémorielle ?

Cet appareil pourrait renforcer la course chinoise vers la domination des technologies de puces électroniques fondamentales. L’utilisation du graphène comme canal semble compatible avec les procédés existants de matériaux 2D que les fabricants mondiaux explorent déjà.

Pendant que l’Occident s’embourbe dans ses crises successives, la Chine avance à pas de géant sur le front technologique. Cette avancée représente une menace directe pour notre souveraineté numérique, déjà fragilisée par notre dépendance aux technologies étrangères.

« Notre percée peut transformer la technologie de stockage, stimuler les améliorations industrielles et ouvrir de nouveaux scénarios d’application », a déclaré Zhou.

Des mots qui devraient faire frémir nos dirigeants, trop occupés à surveiller nos libertés plutôt qu’à investir dans notre indépendance technologique.

Ce genre d’innovation chinoise nous rappelle que pendant que nous nous débattons avec l’inflation et la hausse du coût de la vie, d’autres puissances construisent méthodiquement leur suprématie pour les décennies à venir.

La mémoire flash PoX Fudan pourrait bien représenter un tournant décisif pour l’industrie du stockage électronique. Si elle est adoptée à grande échelle, elle risque de redéfinir les standards de performance et de consommation énergétique.

Une avancée qui interroge autant qu’elle fascine : sommes-nous prêts à laisser les clés de notre futur numérique à ceux qui innovent sans relâche ?